最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

可用作硅片的研磨材料是（）

下列是晶體的是（）。 

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）