單項選擇題下列諸材料中淬透性最好的是()
A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題過共析鋼因過熱而析出網(wǎng)狀滲碳體組織時,可用下列哪種工藝消除()
A、完全退火
B、等溫退火
C、球化退火
D、正火
2.單項選擇題下列指標中,哪個是只決定了鋼的成份的性能()
A、淬透性
B、淬硬性
C、淬透層深度
D、VK
3.單項選擇題過共析鋼進行下列哪種熱處理可能會造成網(wǎng)狀滲碳體析出()
A、完全退火
B、再結晶退火
C、正火
D、去應力退火
4.單項選擇題亞共晶白口鑄鐵的退火組織中,不可能有下列中的哪種組織()
A、二次滲碳體
B、共析滲碳體
C、一次滲碳體
D、共晶滲碳體
5.單項選擇題下列諸因素中,哪個是造成45鋼淬火硬度偏低的主要原因()
A、加強溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時間過長
D、冷卻速度大于VK
最新試題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題