A、L
B、S
C、J
D、M
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A、錨板
B、夾片
C、連接器
D、墊板
A、夾片錨具
B、鐓頭錨具
C、擠壓錨具
D、錐塞錨具
A、應(yīng)先進(jìn)行錨具的硬度試驗(yàn)
B、應(yīng)在錨板和夾片之間加入潤(rùn)滑劑
C、預(yù)應(yīng)力筋應(yīng)等長(zhǎng)平行，不少于2米
D、正式加載前需要進(jìn)行應(yīng)力調(diào)勻
A、夾片
B、鐓頭
C、錨板
D、鋼絞線
A、中強(qiáng)鋼絲
B、鋼絞線
C、熱處理鋼筋
D、高強(qiáng)鋼絲
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）