A、鋼質(zhì)錐塞式
B、預應力錐塞式
C、熱鑄錐塞式
D、冷鑄錐塞式
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A、焊接預應力筋后應加熱
B、只能用于預應力構(gòu)件內(nèi)部
C、焊接應在冷拉之前進行
D、不能和鋼絞線直接連接
A、第一層網(wǎng)片與墊板之間距離宜小于25mm
B、網(wǎng)片之間距離不宜過大
C、網(wǎng)片筋中的鋼筋間距不宜過大
D、網(wǎng)片筋在錨固區(qū)使用
A、內(nèi)縮量試驗
B、錨固端摩阻損失
C、靜載試驗
D、張拉錨固工藝試驗
A、內(nèi)縮量
B、總應變
C、錨頭損失
D、效率系數(shù)
A、試驗應力為0.75倍預應力筋抗拉強度
B、測量的是工具錨下應力與喇叭形墊板收口處的應力差異
C、摩阻損失包括錨具內(nèi)的損失和墊板中的損失
D、實驗結(jié)果為3組平行實驗的平均值
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
改良西門子法的顯著特點不包括（）
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
下列是晶體的是（）。