A、焊接預應(yīng)力筋后應(yīng)加熱
B、只能用于預應(yīng)力構(gòu)件內(nèi)部
C、焊接應(yīng)在冷拉之前進行
D、不能和鋼絞線直接連接
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A、第一層網(wǎng)片與墊板之間距離宜小于25mm
B、網(wǎng)片之間距離不宜過大
C、網(wǎng)片筋中的鋼筋間距不宜過大
D、網(wǎng)片筋在錨固區(qū)使用
A、內(nèi)縮量試驗
B、錨固端摩阻損失
C、靜載試驗
D、張拉錨固工藝試驗
A、內(nèi)縮量
B、總應(yīng)變
C、錨頭損失
D、效率系數(shù)
A、試驗應(yīng)力為0.75倍預應(yīng)力筋抗拉強度
B、測量的是工具錨下應(yīng)力與喇叭形墊板收口處的應(yīng)力差異
C、摩阻損失包括錨具內(nèi)的損失和墊板中的損失
D、實驗結(jié)果為3組平行實驗的平均值
A、內(nèi)縮量測量分為直接測量方式和間接測量方式
B、試驗應(yīng)力為0.8倍預應(yīng)力筋抗拉強度
C、可以通過測量預應(yīng)力筋錨固過程中的應(yīng)力變化得到
D、靜載實驗用的裝置一般不合適用于內(nèi)縮量試驗
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
硅片拋光在原理上不可分為()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
可用作硅片的研磨材料是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。