A、3個(gè)試件的測(cè)值有出現(xiàn)負(fù)值的,應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計(jì)算與結(jié)果確定
B、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值與中間值之差超過(guò)1%時(shí),取中間值作為測(cè)定值
C、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過(guò)1%時(shí),取中間值作為測(cè)定值
D、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過(guò)1%時(shí),試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效
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A、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過(guò)中間值的15%時(shí),取其余2個(gè)測(cè)值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測(cè)定值
B、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過(guò)中間值的15%時(shí),取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
C、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過(guò)中間值的15%時(shí),取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
D、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過(guò)中間值的15%時(shí),強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于4h
B、融化時(shí)間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于8h
D、融化時(shí)間不應(yīng)少于8h
A、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為(18~20)℃的水,加水時(shí)間不應(yīng)超過(guò)10min
B、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水,加水時(shí)間不應(yīng)超過(guò)10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi),水溫不低于10℃,且在30min后水溫能保持在(18~20)℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
最新試題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
PN結(jié)的基本特性是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()