A、《普通砼拌合物性能試驗方法標準》GB/T50080-2002標準中采用的是一種氣壓法的含氣量試驗方法
B、《普通砼拌合物性能試驗方法標準》GB/T50080-2002標準中采用的是一種水壓法的含氣量試驗方法
C、砼拌合物含氣量通常是指不包含骨料組分材料本身含氣量在內(nèi)的含氣量
D、適用于各種骨料最粒徑的砼拌合物含氣量測定
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A、用濕布把容量筒內(nèi)外擦干凈,在分析天平上稱出容量筒質(zhì)量,精確至0.001g
B、采用搗棒手工搗實時,若用大于5L的容量筒,每層裝料高度不應大于100mm
C、采用振動臺振實時,應分二層均勻裝料,第一層料振實后,再裝第二層料
D、用刮尺刮去筒口多余的拌合物,表面如有凹陷應補平
A、容量筒
B、稱重50kg的臺秤
C、振動臺或搗棒單位重量砼拌合物的壓力泌水數(shù)量
D、稱重200g的分析天平
A、砼拌合物總壓力泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的壓力泌水數(shù)量
C、單位重量砼拌合物的壓力泌水數(shù)量
D、加壓至10s時的泌水量與加壓至140s時的泌水量之比
A、搗棒
B、壓力泌水儀
C、振動臺
D、量筒
A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結時間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
在通常情況下,GaN呈()型結構。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
可用作硅片的研磨材料是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
PN結的基本特性是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。