A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動擴展
D、A、B、C選項都對
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A、插搗不均勻
B、提筒時歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
A、坍落度法
B、坍落擴展度法
C、維勃稠度法
D、增實因素法
A、流動性
B、凝結(jié)時間
C、黏聚性
D、保水性
A、稠度
B、凝結(jié)時間
C、碳化深度
D、泌水率
A、同一檢驗批只進行一組試驗時,應(yīng)將試驗結(jié)果作為檢驗結(jié)果
B、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最小值作為檢驗結(jié)果
C、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的最大值作為檢驗結(jié)果
D、同一檢驗批進行了一組以上試驗時,應(yīng)取所有組試驗結(jié)果中的平均值作為檢驗結(jié)果
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列是晶體的是()。