單項(xiàng)選擇題洛氏硬度測(cè)量時(shí)取點(diǎn)個(gè)數(shù)為（）
A、2點(diǎn)
B、3點(diǎn)
C、5點(diǎn)
D、6點(diǎn)
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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)壓花錨的檢測(cè)數(shù)量要求是（）
A、每批檢查3%，不少于5件
B、每工作班檢查5%，不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
2.單項(xiàng)選擇題錨具規(guī)范中對(duì)鋼絲鐓頭的強(qiáng)度檢測(cè)數(shù)量要求是（）
A、每批檢查3%，不少于5件
B、每工作班檢查5%，不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
3.單項(xiàng)選擇題擠壓錨的抽檢數(shù)量規(guī)定為（）
A、每批檢查3%，不少于5件
B、每工作班檢查5%，不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
4.單項(xiàng)選擇題凸出式錨固端錨具的保護(hù)層厚度一般要求為（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
5.單項(xiàng)選擇題錨固端外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題