A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
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A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
D、GB.6763
A、100
B、200
C、250
D、300
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
A、產(chǎn)品名稱、顏色、強(qiáng)度等級、質(zhì)量等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
B、顏色、產(chǎn)品名稱、強(qiáng)度等級、質(zhì)量等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
C、顏色、產(chǎn)品名稱、質(zhì)量等級、強(qiáng)度等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
D、產(chǎn)品名稱、顏色、質(zhì)量等級、強(qiáng)度等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。