A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
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A、產(chǎn)品名稱、顏色、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
B、顏色、產(chǎn)品名稱、強(qiáng)度等級(jí)、質(zhì)量等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
C、顏色、產(chǎn)品名稱、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
D、產(chǎn)品名稱、顏色、質(zhì)量等級(jí)、強(qiáng)度等級(jí)、標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
A、斜角六面體
B、直角六面體
C、直角八面體
D、直角四面體
A、3
B、5
C、7
D、14
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)要求的全部項(xiàng)目
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()