A、10±2
B、20±2
C、10±5
D、20±5
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A、電熱鼓風(fēng)干燥箱
B、天平
C、材料試驗(yàn)機(jī)
D、恒溫水槽
A、100
B、150
C、200
D、250
A、150mm
B、300mm
C、450mm
D、600mm
A、100.0.1
B、100.1
C、100.0.5
D、100.0.01
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;