A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
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A、最大
B、最小
C、平均
D、中間
A、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個(gè)對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)碳化后試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
B、五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
C、五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.01
D、五個(gè)氣干狀態(tài)的對(duì)比試件的平均抗壓強(qiáng)度/五個(gè)飽水面干試件的平均抗壓強(qiáng)度.0.1
A、1mm/m
B、0.1mm/m
C、0.01mm/m
D、0.001mm/m
A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()