單項(xiàng)選擇題低能射線以（）為主。
A.光電效應(yīng)
B.康普頓效應(yīng)
C.電子對(duì)生成效應(yīng)
D.以上都對(duì)
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1.單項(xiàng)選擇題某放射源的衰變常數(shù)λ=0.0035/天，因?yàn)槠浒胨テ跒椋ǎ?/a>
A.5.3年
B.74天
C.127天
D.以上都不是
2.單項(xiàng)選擇題假定某γ放射源的衰變常數(shù)λ=0.021/年，則其半衰期為（）。
A.5.3年
B.3.3年
C.33年
D.75天
3.單項(xiàng)選擇題放射性物質(zhì)原子數(shù)衰變到原來(lái)的（）所需的時(shí)間稱為半衰期。
A.1/2
B.1/3
C.1/4
D.3/4
4.單項(xiàng)選擇題兩個(gè)同位素活度相同，但比活度不同，對(duì)于比活度高的源來(lái)說(shuō)，則（）。
A.尺寸較大
B.尺寸較小
C.線質(zhì)硬
D.半衰期較短
5.單項(xiàng)選擇題同位素就是原子序數(shù)相同，（）不同的一種元素。
A.中子數(shù)
B.核子數(shù)
C.原子量
D.分子數(shù)
最新試題
滲透檢測(cè)時(shí)，滲入的滲透液有一些被截留在缺陷內(nèi)，將受檢部位置于合適的光源（發(fā)光強(qiáng)度足夠）下檢查時(shí)，下列說(shuō)法正確的有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
工藝評(píng)定試件焊后應(yīng)進(jìn)行（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于波束未擴(kuò)散區(qū)，說(shuō)法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
對(duì)漏磁檢測(cè)原理描述正確的有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
滲透劑檢測(cè)壓力噴灌的存放應(yīng)避免（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鑄件熒光滲透檢測(cè)時(shí)，（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
阻止?jié)B透液滲入及滲出表面開口缺陷的固體污染物有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
無(wú)損檢測(cè)設(shè)備、材料采購(gòu)驗(yàn)收內(nèi)容包括（）驗(yàn)收。
題型：多項(xiàng)選擇題
顯影斑紋呈黑色條狀或?qū)拵?，在整張底片范圍出現(xiàn)，其產(chǎn)生的原因是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
超聲檢測(cè)時(shí)對(duì)工件無(wú)腐蝕的耦合劑是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題