關(guān)于SRAM和DRAM，下面說法正確的是（）。

1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是0000_0001，-1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是1111_1111。（）

DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。（）

模擬信號數(shù)字化的過程是（）。

關(guān)于PCI總線的描述，錯誤的是（）。

十進(jìn)制數(shù)據(jù)0x5a與0xa5的同或運算結(jié)果為：0x00。（）

DWDM系統(tǒng)OTU單板使用的半導(dǎo)體光檢測器主要有PIN管和APD管兩種，對APD管來說，其接收光功率過載點為（）dBm。

中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上？（）

對于D觸發(fā)器來說，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時鐘信號的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時間，這個時間稱為（）。

M40單板上產(chǎn)生了MUT-LOS告警，關(guān)于處理此告警說法正確的是：（）