DRAM上電時(shí)存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲單元的內(nèi)容是全1。（）

捕捉毛刺用最佳觸發(fā)方式（）進(jìn)行觸發(fā)。

硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大。（）

以太網(wǎng)交換機(jī)將沖突域限制在每個(gè)端口，提高了網(wǎng)絡(luò)性能。（）

ITU-T中，當(dāng)光信道間隔為0.8nm的系統(tǒng)，中心波長的偏差不能大于：（）

中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上？（）

關(guān)于PCI總線的描述，錯(cuò)誤的是（）。

一空氣平行板電容器，兩級間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>

為了避免50Hz的電網(wǎng)電壓干擾放大器，應(yīng)該用哪種濾波器？（）

DWDM系統(tǒng)OTU單板使用的半導(dǎo)體光檢測器主要有PIN管和APD管兩種，對APD管來說，其接收光功率過載點(diǎn)為（）dBm。