A.保持時(shí)間
B.恢復(fù)時(shí)間
C.穩(wěn)定時(shí)間
D.建立時(shí)間
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A.CRC校驗(yàn)
B.海明碼校驗(yàn)
C.多種校驗(yàn)方式的組合
D.奇偶校驗(yàn)
A.SRAM需要定時(shí)刷新,否則數(shù)據(jù)會(huì)丟失
B.DRAM使用內(nèi)部電容來(lái)保存信息
C.SRAM的集成度高于DRAM
D.只要不掉點(diǎn),DRAM內(nèi)的數(shù)據(jù)不會(huì)丟失
A.帶阻濾波器
B.帶通濾波器
C.低通濾波器
D.高通濾波器
A.ALU,EU
B.ALU,BIU
C.EU,BIU
D.ALU,EU,BIU
A.U/3
B.2U/3
C.3U/4
D.不變
最新試題
DWDM設(shè)備OLP單板可以檢測(cè)的告警有()
通過(guò)U2000網(wǎng)管查詢OUT單板WDM性能可以看到()。
洗衣機(jī),電冰箱等家用電器都使用三孔插座,是因?yàn)槿绻唤拥兀矣秒娖魇遣荒芄ぷ鞯?。(?/p>
ITU-T中,當(dāng)光信道間隔為0.8nm的系統(tǒng),中心波長(zhǎng)的偏差不能大于:()
一空氣平行板電容器,兩級(jí)間距為d,充電后板間電壓為u。然后將電源斷開(kāi),在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>
8421碼10010111表示的十進(jìn)制數(shù)是()。
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。()
本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N型半導(dǎo)體。
關(guān)于監(jiān)控信道的描述,正確的是:()。
放大電路的輸出信號(hào)產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。()