動態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。

橫波檢測平板對接焊縫根部未焊透等缺陷時，不同K值探頭檢測同一根部缺陷，其回波高相差不大。

在檢測晶粒粗大和大型工件時，應(yīng)測定材料的衰減系數(shù)，計算時應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度，它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

缺陷相對反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。

分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測量，測試時儀器抑制置“零”或“開”位，必要時可加匹配線圈。

儀器時基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié)，當(dāng)工件與試塊的聲速不同時，儀器的時基線比例發(fā)生變化，影響缺陷定位精度。

水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。