A.能更準(zhǔn)確地測量缺陷高度
B.能更準(zhǔn)確地測量缺陷長度
C.更有利于發(fā)現(xiàn)和判斷上表面附近的缺陷
D.更有利于發(fā)現(xiàn)和判斷底面附近的缺陷
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A.二次波檢測可以解決焊縫余高過寬影響探頭設(shè)置的困難
B.二次波檢測可以解決直通波盲區(qū)造成的近表面裂紋漏檢
C.二次波檢測以二次反射表面產(chǎn)生的波作為底面波
D.二次波檢測時(shí)探頭間距不能太大,以確?;夭ㄔ诘撞úㄐ娃D(zhuǎn)換之前到達(dá)
A.采用的TOFD和脈沖反射法組合檢測
B.檢測筒體縱焊縫時(shí)從內(nèi)表面掃查
C.檢測筒體環(huán)焊縫時(shí)從內(nèi)表面掃查
D.從內(nèi)表面和外表面進(jìn)行兩次掃查
A.提高缺陷長度測量的精度
B.增大有效檢測范圍
C.消除底面焊縫成形不良的影響
D.有利于發(fā)現(xiàn)焊縫中的橫向缺陷
A.0.85mm
B.0.50mm
C.5.27mm
D.0.23mm
A.在大于50℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測
B.在100℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測
C.在150℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測
D.在200℃時(shí)進(jìn)行TOFD檢測
最新試題
對于平行于檢測面的缺陷,一般采用()檢測。
射線照片上細(xì)節(jié)影像的可識別性主要決定于()
以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響()
一個(gè)均勻的輻射光束強(qiáng)度為I0的射線,穿過一個(gè)厚度為X的物質(zhì),其強(qiáng)度降低量為I,可用I=-μI0X表示,μ為比例常數(shù),此式代表什么現(xiàn)象()
底片清晰度與增感屏顆粒度的關(guān)系是()
發(fā)生康普頓散射的條件是()
以下試塊中,能用于測定縱波直探頭分辨力的是()
若評片燈亮度增為原來的兩倍,則底片透光度(It/I0)變?yōu)樵瓉淼模ǎ?/p>
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為()
下列對耦合劑應(yīng)該具有的特點(diǎn)的描述,不正確的一項(xiàng)是()