在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測(cè)量，測(cè)試時(shí)儀器抑制置“零”或“開”位，必要時(shí)可加匹配線圈。

缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

橫波檢測(cè)平板對(duì)接焊縫根部未焊透等缺陷時(shí)，不同K值探頭檢測(cè)同一根部缺陷，其回波高相差不大。

液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過(guò)一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。

動(dòng)態(tài)范圍的最小信號(hào)可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。

由于超聲波對(duì)進(jìn)入面的表面粗糙度、入射超聲束的方向等有一定的要求，必要時(shí)應(yīng)通過(guò)增添專門的工序，采用經(jīng)批準(zhǔn)的加工方法準(zhǔn)備超聲波進(jìn)入面。

衍射時(shí)差法對(duì)缺陷的定量依賴于缺陷的回波幅度。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無(wú)機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。