A.同步模式
B.異步模式
C.查詢模式
D.輪詢模式
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.AdminDown
B.Down
C.Init
D.Up
A.跟蹤狀態(tài)(locked)
B.自由運(yùn)行狀態(tài)(free-run)
C.快捕狀態(tài)(fast-lock)
D.保持狀態(tài)(hold)
A.服務(wù)器/客戶端模式
B.對等體模式
C.廣播模式
D.組播模式
A.同一VRRP備份組,配置搶占;
B.同一VRRP備份組,配置優(yōu)先級;
C.同一VRRP備份組,配置虛IP;
D.同一VRRP備份組,配置虛MAC;
A.10GE WAN端口采用Ethernet II幀格式封裝
B.10GE WAN端口采用SDH/SONET幀格式封裝
C.10GE LAN和10GEWAN端口可以對接
D.10GE WAN端口需要配置接口開銷字節(jié)
最新試題
在RS232串口中,采用哪一種校驗(yàn)方式:()。
本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N型半導(dǎo)體。
關(guān)于監(jiān)控信道的描述,正確的是:()。
ITU-T中,當(dāng)光信道間隔為0.8nm的系統(tǒng),中心波長的偏差不能大于:()
關(guān)于FIU板的描述正確的有:()
光交叉處理()的調(diào)度,通常與所承載的業(yè)務(wù)類型()。()處理電信號的調(diào)度,與所承載的業(yè)務(wù)類型()
DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。()
晶體管能夠放大的外部條件是()。
關(guān)于SRAM和DRAM,下面說法正確的是()。
()不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。