已知某場效應管的漏極特性曲線如圖所示,則在UDS=10V,UGS=0V處的跨導gm約為()。
A.1mA/V
B.0.5mA/V
C.-1mA/V
D.-0.5mA/V
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某場效應管的漏極特性曲線如圖所示,則該場效應管為()。
A.P溝道耗盡型MOS管
B.N溝道增強型MOS管
C.P溝道增強型MOS管
D.N溝道耗盡型MOS管
某電路如下圖所示,晶體管集電極接有電阻RC,根據(jù)圖中的數(shù)據(jù)判斷該管處在()。
A.截止狀態(tài)
B.放大狀態(tài)
C.飽和狀態(tài)
A.PNP管的集電極
B.PNP管的發(fā)射極
C.NPN管的發(fā)射極
D.NPN管的基極
電路如圖所示,D1,D2均為理想二極管,設U1=10V,ui=40sinωtV,則輸出電壓uo應為()。
A.最大值為40V,最小值為0V
B.最大值為40V,最小值為+10V
C.最大值為10V,最小值為-40V
D.最大值為10V,最小值為0V
A.增大
B.不變
C.減小
A.高通濾波電路
B.低通濾波電路
C.帶通濾波電路
A.基準電壓
B.采樣電壓
C.基準電壓與采樣電壓之差
A.通用型
B.高阻型
C.高壓型
D.低功耗型
A.輸出電阻大
B.輸出電阻小
C.輸入電阻大
D.輸入電阻小
A.輸入電阻增大
B.輸出量增大
C.凈輸入量增大
D.凈輸入量減小
最新試題
負反饋越深,電路的性能越穩(wěn)定。
集成運放的電壓傳輸特性之中的線性運行部分的斜率愈陡,則表示集成運放的()。
OTL功率放大電路如圖所示,該電路會產(chǎn)生()。
比例運算電路如下圖所示,該電路的輸入電阻為()。
功率放大電路通常工作在()。
鏡像電流源電路中兩只晶體管的特性應完全相同。
在多級放大電路中,功率放大級常位于()。
零點漂移就是靜態(tài)工作點的漂移。
振蕩器之所以能獲得單一頻率的正弦波輸出電壓,是依靠了振蕩器中的()。
引入直流負反饋可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點。