A.晶片直徑大
B.頻率低
C.指向性好
D.晶片直徑小
E.頻率高
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A.濃度
B.價(jià)格
C.形狀
D.聲阻抗
E.耦合層厚度
A.垂直線性
B.水平線性
C.晶片尺寸
D.頻率與K值
E.探頭形式
A.始波寬度
B.入射點(diǎn)
C.聲束寬度
D.回波頻率
E.K值
A.聲速
B.聲壓
C.聲強(qiáng)
D.內(nèi)應(yīng)力
E.外應(yīng)力
A.工件表面粗糙度
B.工件材質(zhì)
C.工件表面形狀
D.工件邊界
E.工件溫度
最新試題
對(duì)于圓柱體而言,外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí),入射點(diǎn)處的回波聲壓理論上同平底面工件相同。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。
檢測(cè)曲面工件時(shí),探頭與工件接觸有兩種情況,一是平面與曲面接觸,另一種是將探頭斜楔磨成曲面,探頭與工件曲面接觸。
高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼,電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。
經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波,滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。
分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測(cè)量,測(cè)試時(shí)儀器抑制置“零”或“開”位,必要時(shí)可加匹配線圈。
在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí),應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù),計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。
非金屬夾雜等缺陷的聲阻抗與鋼的聲阻抗相差很小,聲波在缺陷上的透射和吸收明顯高于白點(diǎn)和氣孔等缺陷。
由于圓柱形工件有一定的曲率,直探頭與工件直接接觸時(shí),接觸面為一條很寬的條形區(qū)域,從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。
水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門浸入耦合液中。