A.工頻大電流法
B.搖表法
C.異頻法
D.以上均不是
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A.只能考核變壓器的縱絕緣
B.只能考核變壓器的主絕緣
C.可同時考核變壓器的縱絕緣和主絕緣
D.以上都不可考核
A.反接屏蔽法
B.正接法
C.反接法
D.末端加壓法
A.依據(jù)污源特性
B.依據(jù)瓷件表面的等值鹽密
C.并結(jié)合運行經(jīng)驗
D.依據(jù)運行時間長短
A.過電流
B.過電壓
C.零序電流
D.零序電壓
A.3
B.20
C.30
D.50
最新試題
絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。
40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tanδ應(yīng)在分閘狀態(tài)下按每支套管進行測量。
直流高壓試驗采用高壓硅堆作整流元件時，高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓，其額定整流電流應(yīng)大于工作電流，并有一定的裕度。
當電力設(shè)備的額定電壓與實際使用的額定電壓不同時，當采用額定電壓較高的設(shè)備作為代用時，應(yīng)按照實際使用的額定電壓確定其試驗電壓。
在現(xiàn)場采用介損儀測量設(shè)備的介損tgδ時，若存在電場干擾，則在任意測試電源極性的情況下，所測得tgδ值一定比真實的tgδ增大。
當電力設(shè)備的額定電壓與實際使用的額定電壓不同時，當采用額定電壓較高的設(shè)備以加強絕緣時，應(yīng)按照設(shè)備的額定電壓確定其試驗電壓。
重大缺陷消缺率和及時率的要求分別為90%和85%。
描述磁場的磁力線，是一組既不中斷又互不相交，卻各自閉合，既無起點又無終點的回線。
若儀表刻度不均勻，則在分度線較密的部分，讀數(shù)誤差較大，靈敏度也較低。
超高頻局部放電試驗?zāi)軌虬l(fā)現(xiàn)設(shè)備內(nèi)部發(fā)熱、放電及絕緣缺陷。