A.依據(jù)污源特性
B.依據(jù)瓷件表面的等值鹽密
C.并結(jié)合運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)
D.依據(jù)運(yùn)行時(shí)間長短
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.過電流
B.過電壓
C.零序電流
D.零序電壓
A.3
B.20
C.30
D.50
A.試品電容量越大,對(duì)試品tgδ和C測(cè)量結(jié)果影響越大
B.試品電容量越大,對(duì)試品tgδ和C測(cè)量結(jié)果影響越小
C.試品電容量大小,對(duì)試品tgδ和C測(cè)量結(jié)果不影響
D.以上均不是
A.對(duì)無載調(diào)壓繞組,不允許在測(cè)試過程中或未放完電時(shí)切換無載分接開關(guān)
B.在測(cè)試過程中不允許拆除測(cè)試線
C.測(cè)試過程中,外部AC220V突然斷電,應(yīng)立即拆除測(cè)試線
D.測(cè)試過程中,外部AC220V突然斷電,不可以馬上拆除測(cè)試線
A.過電流
B.過電壓
C.過負(fù)荷
D.以上均不是
最新試題
電容器制造的主要材料為電容器紙、電容器油和金屬或瓷外殼。
對(duì)現(xiàn)場使用的電氣儀器儀表,儀表本身消耗的功率越小越好,否則在測(cè)小功率時(shí),會(huì)使電路工況改變而引起附加誤差。
將并聯(lián)有晶閘管閥及其電抗器的電容器串接于輸電線路中,并配有旁路斷路器、隔離開關(guān)、串補(bǔ)平臺(tái)、支撐絕緣子、控制保護(hù)系統(tǒng)等附屬設(shè)備組成的裝置,簡稱可控串補(bǔ)。
絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷,則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。
真空斷路器具有體積小、重量輕、維護(hù)工作量小等優(yōu)點(diǎn),適用于超高壓系統(tǒng)。
主變高壓套管帶電檢測(cè),其檢測(cè)阻抗能否直接串入電容接地線測(cè)量。
描迷電場的電力線總是起始于正電荷,終止于負(fù)電荷,電力線既不閉合、不間斷、不相交。
當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實(shí)際使用的額定電壓不同時(shí),當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備作為代用時(shí),應(yīng)按照實(shí)際使用的額定電壓確定其試驗(yàn)電壓。
直流泄漏電流試驗(yàn)?zāi)芊从炒少|(zhì)絕緣的裂紋、夾層絕緣內(nèi)部受潮及局部斷裂、絕緣的沿面炭化等。
在現(xiàn)場采用介損儀測(cè)量設(shè)備的介損tgδ時(shí),若存在電場干擾,則在任意測(cè)試電源極性的情況下,所測(cè)得tgδ值一定比真實(shí)的tgδ增大。