試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？