多項(xiàng)選擇題與TTL電路相比，CMOS電路的特點(diǎn)是（）
A.噪聲容限低
B.電源適用范圍寬
C.功耗極低
D.扇出能力強(qiáng)
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1.多項(xiàng)選擇題CMOS數(shù)字集成電路與TTL數(shù)字集成電路相比突出的優(yōu)點(diǎn)是（）。
A.微功耗
B.高速度
C.高抗干擾能力
D.電源范圍寬
2.多項(xiàng)選擇題三極管作為開關(guān)使用時(shí)，要提高開關(guān)速度，可（）。
A.降低飽和深度
B.增加飽和深度
C.采用有源泄放回路
D.采用抗飽和三極管
3.多項(xiàng)選擇題TTL電路在正邏輯系統(tǒng)中，以下各種輸入中（）相當(dāng)于輸入邏輯“1”。
A.懸空
B.通過電阻2.7kΩ接電源
C.通過電阻2.7kΩ接地
D.通過電阻510Ω接地
4.多項(xiàng)選擇題邏輯表達(dá)式Y(jié)=AB可以用（）實(shí)現(xiàn)。
A.正或門
B.正非門
C.正與門
D.負(fù)或門
5.多項(xiàng)選擇題以下電路中不能用于總線應(yīng)用的有（）。
A.TSL門
B.OC門
C.漏極開路門
D.CMOS與非門
最新試題
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體？是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體？簡(jiǎn)述它們的作用。
題型：?jiǎn)柎痤}
判斷如下VHDL的操作是否正確，如不正確，請(qǐng)改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT，c是INTEGER，執(zhí)行c＜=a+b。
題型：?jiǎn)柎痤}
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實(shí)現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0，它的輸入信號(hào)JK就為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入（）路編碼信號(hào)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題