A.與有用輸入端連在一起
B.懸空
C.接正電源
D.接地
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A.與非門
B.或非門
C.OC門
D.三態(tài)門
A.或非
B.OC
C.三態(tài)
D.與或非
A.TTL
B.CMOS
B.NMOS
D.PMOS
A.輸出電壓與輸入電壓之間的關(guān)系數(shù)
B.輸iU電壓與輸入電流之間的關(guān)系數(shù)
C.輸出端能帶同類門的今個(gè)數(shù)
D.輸入端數(shù)
A.互為反函數(shù)
B.互為對(duì)偶式
B.相等
D.答案都不正確
最新試題
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在？
電可擦除的PROM器件是（）
DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
要使JK觸發(fā)器的輸出Q從1就成0，它的輸入信號(hào)JK就為（）。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門，可以擴(kuò)展得到1個(gè)（）線譯碼器。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。