單項(xiàng)選擇題兩模數(shù)分別為M1和M2的計(jì)數(shù)器串接而構(gòu)成的計(jì)數(shù)器，其總模數(shù)為（）。

A.M1＋M2
B.M1×M2
C.M1—M2
D.M1％M2


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1.單項(xiàng)選擇題程序控制中，常用（）電路作定時(shí)器。

A.計(jì)數(shù)器
B.比較器
C.譯碼器
D.編碼器

2.單項(xiàng)選擇題欲把一脈沖信號(hào)延遲8個(gè)TCP后愉出，宜采用（）電路。

A.計(jì)數(shù)器
B.分頻器
C.移位寄存器
D.脈沖發(fā)生器

3.單項(xiàng)選擇題用集成計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)n進(jìn)制計(jì)數(shù)器時(shí)，不宜采用（）方法。

A.置最小數(shù)
B.反饋復(fù)位
C.反饋預(yù)置
D.時(shí)鐘禁止

4.單項(xiàng)選擇題欲把36kHz的脈沖信號(hào)變?yōu)?Hz的脈沖信號(hào)，若采用十進(jìn)制集成計(jì)數(shù)器，則各級(jí)的分頻系數(shù)為（）。

A.（3，6，10，10，10）
B.（4，9，10，10，10）
C.（3，12，10，10，10）
D.（6，3，10，10，10）

5.單項(xiàng)選擇題每經(jīng)十個(gè)CP脈沖狀態(tài)循環(huán)一次的計(jì)數(shù)電路，知其有效狀態(tài)中的最大數(shù)為1100，則欠妥的描述是（）。

A.模10計(jì)數(shù)器
B.計(jì)數(shù)容量為10
C.十進(jìn)制計(jì)數(shù)器
D.十二進(jìn)制計(jì)數(shù)器

最新試題

利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門，可以擴(kuò)展得到1個(gè)（）線譯碼器。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。

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DRAM4164有2根片選線（RAS和CAS）、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少？

題型：?jiǎn)柎痤}

如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。

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一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器，其地址輸入（選擇控制輸入）端有（）個(gè)。

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小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）

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TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）

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兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題