A、水洗型
B、溶劑型
C、后乳化型
D、熒光型
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、可隨時(shí)關(guān)掉再開(kāi)
B、不可中途關(guān)掉,應(yīng)待工作告一段落再關(guān)
C、無(wú)需預(yù)熱
D、以上都對(duì)
A、碳鋼槽
B、不銹鋼槽
C、青銅槽
D、塑料槽
A、磁羅盤(pán)
B、場(chǎng)強(qiáng)計(jì)
C、高斯計(jì)
D、以上都對(duì)
A、如果設(shè)備在額定狀態(tài)下工件,其絕緣電阻可以低于1MΩ
B、使用濕法可不用防塵設(shè)備,而干法最好要有防塵設(shè)備
C、球罐探傷時(shí),允許把初級(jí)電源變壓器移到罐內(nèi)
D、以上都不對(duì)
A、磁羅盤(pán)
B、場(chǎng)強(qiáng)計(jì)
C、高斯計(jì)
D、以上可以
最新試題
對(duì)于長(zhǎng)條形試件,則常沿()作平行縱軸的直線式掃查。
渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的()具有較好的代表性,因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出()的相關(guān)信息。
對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()