A、正壓電效應(yīng)
B、逆壓電效應(yīng)
C、壓電常數(shù)
D、介電常數(shù)
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A、1/2波長的整數(shù)倍時
B、1/2波長的奇數(shù)倍時
C、1/4波長的奇數(shù)倍時
D、1/4波長的整數(shù)倍時
A、tp=1+rp
B、R=rp2
C、D=1-rp2
D、以上都不對
A、(Z2-Z1)/(Z1+Z2)
B、2Z2/(Z1+Z2)
C、4Z1×Z2/(Z1+Z2)2
D、[(Z2-Z1)/(Z1+Z2)]2
A、1/2波長的整數(shù)倍時
B、1/2波長的奇數(shù)倍時
C、1/4波長的奇數(shù)倍時
D、1/4波長的整數(shù)倍時
A、底波被較大的面積性缺陷反射
B、底波被較小的單個球狀缺陷反射
C、底波的能量被轉(zhuǎn)換為電能而吸收
D、以上都可能
最新試題
掃查方式一般視試件的()而定。
用于測量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計,其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測量黑光。
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動,即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時,移動探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
渦流檢測中的對比試樣的()和材質(zhì)相對被檢測產(chǎn)品必須具有代表性。
渦流檢測線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
對于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
對檢測儀的時間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號的同時具備探傷、電導(dǎo)率測量()測量功能的通用型儀器。
鋁合金電導(dǎo)率的渦流檢測中硬度檢驗是一種()方法。