A.增大焦距
B.減小曝光量
C.減小射線強(qiáng)度
D.減小射線能量
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.工件反差
B.底片反差
C.膠片反差
D.靈敏度
A.30℃
B.40℃
C.50℃
D.60℃
A.半衰期
B.電子層
C.半價(jià)層
最新試題
對(duì)某非磁性材料進(jìn)行渦流檢測(cè)時(shí),已知μr=1,f=2kHz,ρ=2O×1O-6Ω·m,試計(jì)算滲透深度值為多少?
按操作工藝卡規(guī)定,透照焊縫時(shí)母材區(qū)最大黑度為3.0,而國(guó)標(biāo)允許的最大黑度為3.5,若其他條件不變,焦距用650mm時(shí),焦距的測(cè)定誤差為±25mm,問(wèn)在此情況下母材區(qū)黑度是否超過(guò)3.5?又最大黑度超過(guò)3.5的臨界焦距是多少?(已知1gE(D3.5)=2.17,lgE(D3.0)=2.11)
阻抗圖中,實(shí)線曲線是什么值不同的曲線()。
簡(jiǎn)述滲透探傷方法的選擇原則。
造成相同的x射線機(jī)曝光曲線不完全相同的原因是什么?
渦流試驗(yàn)時(shí),試樣中的電磁場(chǎng)是由()表示的。
新置的Ir192γ射線源,其活度為40Ci,現(xiàn)今時(shí)隔300天,已知,Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度?該源新置時(shí),對(duì)某工件進(jìn)行射線照相的曝光時(shí)間為4min,若所有條件不變,現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘?
當(dāng)激勵(lì)電壓加于一次繞組時(shí),只有磁通量是同相的,且二次磁通量較小。當(dāng)試驗(yàn)物體插入該線圈時(shí),將發(fā)生什么情況()。
JB4730-94標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定不允許存在的缺陷有哪些?
圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來(lái)測(cè)定()。