在檢測(cè)晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測(cè)定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。

對(duì)于圓柱體而言，外圓徑向檢測(cè)實(shí)心圓柱體時(shí)，入射點(diǎn)處的回波聲壓實(shí)際上由于圓柱面耦合不及平面，因而其回波高于平底面，會(huì)使定量誤差增加。

液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過(guò)一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。

電磁超聲探頭在工件的表層內(nèi)產(chǎn)生的渦流，在外加磁場(chǎng)的作用下，在工件中形成超聲波波源。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束，發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的，因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。

超聲波在圓柱內(nèi)反射，如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換，且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波，返回探頭接收，會(huì)形成等邊的三角形遲到回波。

水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。

分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測(cè)量，測(cè)試時(shí)儀器抑制置“零”或“開(kāi)”位，必要時(shí)可加匹配線圈。

缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。