單項(xiàng)選擇題快速以太網(wǎng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)100BASE-T4支持的最大傳輸距離為（）。
A.100m
B.200m
C.550m
D.2km
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1.多項(xiàng)選擇題以下關(guān)于快速以太網(wǎng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)100BASE-TX線纜類型描述正確的是？（）
A.UTP
B.多模光纖
C.EIA/TIA5類
D.單模光纖
2.多項(xiàng)選擇題以下關(guān)于單模光接口敘述正確的是？（）
A.使用光束波長(zhǎng)較短
B.成本較多模高
C.傳輸距離遠(yuǎn)
D.多使用半導(dǎo)體激光器件
3.單項(xiàng)選擇題10Base-T以太網(wǎng)技術(shù)常應(yīng)用于企業(yè)網(wǎng)的哪一層？（）
A.核心層
B.匯聚層
C.接入層
D.數(shù)據(jù)鏈路層
4.單項(xiàng)選擇題以太網(wǎng)是IEEE（）系列標(biāo)準(zhǔn)的具體實(shí)現(xiàn)。
A.802.3
B.802.4
C.802.5
D.802.z
5.多項(xiàng)選擇題S8500系列交換機(jī)交換路由板（也叫主控板）的主要作用包括（）。
A.路由計(jì)算，轉(zhuǎn)發(fā)表維護(hù)
B.數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)
C.集成CROSSBAR交換網(wǎng)，完成跨LPU板間的業(yè)務(wù)交換
D.提供系統(tǒng)配置及LPU板監(jiān)控功能
最新試題
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）
題型：判斷題
關(guān)于FIU板的描述正確的有：（）
題型：多項(xiàng)選擇題
中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于SRAM和DRAM，下面說法正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
（）不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。
題型：多項(xiàng)選擇題
8086CPU內(nèi)部包括哪些單元？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在Buck電路中，不能起到減小紋波作用的措施是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于BWS 1600G系統(tǒng)，下列說法不正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
在RS232串口中，采用哪一種校驗(yàn)方式：（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大。（）
題型：判斷題