單項(xiàng)選擇題在S6506R交換機(jī)上配置兩塊Salience III引擎，實(shí)現(xiàn)負(fù)載分擔(dān)后交換容量可以達(dá)到（）。
A.384G
B.768G
C.48G
D.96G
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2.單項(xiàng)選擇題S8508E的交換容量是（）。
A.300G
B.720G
C.960G
D.1.44T
3.多項(xiàng)選擇題以下關(guān)于MA5200G ATM接口和SDH傳輸對(duì)接的時(shí)候哪些參數(shù)配置錯(cuò)誤可能會(huì)導(dǎo)致鏈路無(wú)法up？（）
A.鏈路擾碼
B.C2/J0/J1字段
C.鏈路封裝格式
D.MTU大小
4.多項(xiàng)選擇題MA5200G以下哪些業(yè)務(wù)需要配置并引用虛模板（Virtual-template）？（）
A.PPPOE
B.PPPOA
C.IPOEOA
D.PPPOEOA
最新試題
放大電路的輸出信號(hào)產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。（）
題型：判斷題
在RS232串口中，采用哪一種校驗(yàn)方式：（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
DWDM設(shè)備OLP單板可以檢測(cè)的告警有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
一空氣平行板電容器，兩級(jí)間距為d，充電后板間電壓為u。然后將電源斷開(kāi)，在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大。（）
題型：判斷題
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）
題型：判斷題
關(guān)于監(jiān)控信道的描述，正確的是：（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
捕捉毛刺用最佳觸發(fā)方式（）進(jìn)行觸發(fā)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
十進(jìn)制數(shù)據(jù)0x5a與0xa5的同或運(yùn)算結(jié)果為：0x00。（）
題型：判斷題
某電路，對(duì)100KHz以下低頻信號(hào)干擾敏感，為減少干擾，應(yīng)采用（）濾波器。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題