多項選擇題原位軸壓法有哪些限制條件()
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應不小于1.5m;
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、限用于370mm磚墻。
E、原位軸壓法應與其他砌筑砂漿強度檢測或砌體抗剪強度檢測一同使用。
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1.多項選擇題磚砌體基礎(chǔ)頂面和樓面標高允許偏差為()。
A、-15
B、-10
C、+10
D、+15
2.多項選擇題專用小砌塊灌孔混凝土坍落度不小于180mm,拌和物()故宜采用。
A、不離析
B、不泌水
C、強度高
D、施工性能好
3.多項選擇題干拌砂漿是由()按一定比例混合而成的混合物。
A、水泥
B、鈣質(zhì)消碳粉
C、砂
D、摻合料及外加劑
4.多項選擇題砌筑砂漿()必須同時符合要求。
A、稠度
B、分層度
C、試配抗壓強度
D、泌水
5.多項選擇題對有明顯屈服點鋼筋的主要材料檢驗指標有()。
A、屈服強度
B、極限抗拉強度
C、伸長率
D、冷彎性能
E、抗壓強度
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如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題