單項選擇題原位單剪法在選定的墻體上,現(xiàn)澆鋼筋混凝土傳力件的混凝土強度等級不應(yīng)低于()。
A.C15
B.C20
C.C25
D.C30
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1.單項選擇題原位單剪法所用儀器設(shè)備,在檢測前應(yīng)標(biāo)定荷載傳感器及數(shù)字荷載表,其示值相對誤差不應(yīng)大于()。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
2.單項選擇題原位單剪法測試部位宜選在窗洞口或其他洞口下()磚范圍內(nèi).
A.2皮
B.3皮
C.4皮
D.5皮
3.單項選擇題切制抗壓試件用水泥砂漿找平后,試件上下表面的砂漿應(yīng)在自然養(yǎng)護()后,再進行抗壓測試。
A.3d
B.5d
C.8d
D.10d
4.單項選擇題切制抗壓試件運至試驗室后,試件上下表面修理平整,頂面應(yīng)用()找平。
A.1:1水泥砂漿
B.1:2水泥砂漿
C.1:3水泥砂漿
D.1:4水泥砂漿
5.單項選擇題切制抗壓試件法所選用的長柱壓力試驗機,其精度(示值的響度誤差)不應(yīng)大于()。
A.1%
B.2%
C.3%
D.4%
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題