載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）