PN結的基本特性是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）