A、0.0008%
B、0.021%
C、0.77%
D、2.11%
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B、Ac3+30—50C
C、Accm+30—50C
D、T再+30—50C
A、強(qiáng)度硬度下降,塑性韌性提高
B、強(qiáng)度硬度提高,塑性韌性下降
C、強(qiáng)度韌性提高,塑性韌性下降
D、強(qiáng)度韌性下降,塑性硬度提高
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
下列是晶體的是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
可用作硅片的研磨材料是()