版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？