集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。