在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？