在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。