MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？