什么是MOS器件的體效應(yīng)？

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。