A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.細(xì)砂
D.無膜雙面自粘
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A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
A.拉伸性能尺寸（縱向×橫向）100×25（mm），縱橫各5個
B.耐熱性（縱向×橫向）100×50（mm），3個
C.低溫柔性（縱向×橫向）150×25（mm），10個
D.不透水性150×150mm，3個
A.最大拉力單位為N/50mm，對應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個方向5個試件的拉力值和延伸率，計算平均值
C.拉力的平均值修約到5N，延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N，延伸率修約到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；