單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊同品種、同規(guī)格、同等級的砌塊，以（）塊為一批，不足該數(shù)量亦為一批。
A、3.5～15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
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1.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊抗凍性的試驗按（）的規(guī)定進行。
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11973-1997
D、GB/T50081
2.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊干燥收縮值的試驗按（）規(guī)定進行。
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11972-1997
D、GB/T50081
3.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊干密度的試驗按（）規(guī)定進行。
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11970-1997
D、GB/T50081
4.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊的立方體抗壓強度試驗按（）的規(guī)定進行。
A、GB/T2542
B、GB/T4111
C、GB/T11971-1997
D、GB/T50081
5.單項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊（GB/T11968-2006）標準中，蒸壓加氣混凝土砌塊的長度、寬度、高度分別在對應(yīng)面的端部測量，各量兩個尺寸，測量值大于規(guī)格尺寸的?。ǎ?，測量值小于規(guī)格尺寸的?。ǎ?。
A、最大值最小值
B、最大值最大值
C、最小值最小值
D、最小值最大值
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題