單項選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊（GB/T15229-2011）標準中規(guī)定輕集料混凝土小型空心砌塊的吸水率應不大于（）。
A、15%
B、18%
C、20%
D、25%
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1.單項選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊（GB/T15229-2011）標準中規(guī)定配制輕集料混凝土小型空心砌塊的輕集料的最大粒徑不宜大于（）。
A、4.75mm
B、9.5mm
C、16mm
D、20mm
2.單項選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊（GB/T15229-2011）標準中，規(guī)定輕集料混凝土小型空心砌塊主規(guī)格尺寸長×寬×高為（），其他規(guī)格可由供需雙方商定。
A、390mm×190mm×190mm
B、240mm×190mm×190mm
C、240mm×190mm×90mm
D、390mm×190mm×90mm
3.單項選擇題輕集料混凝土小型空心砌塊（GB/T15229-2011）標準適用于工業(yè)與民用建筑用（）。
A、燒結普通磚
B、燒結多孔磚和多孔砌塊
C、普通混凝土小型空心砌塊
D、輕集料混凝土小型空心砌塊
4.單項選擇題普通混凝土小型空心砌塊（GB8239-1997）標準中規(guī)定普通混凝土小型空心砌塊的空心率應不小于（）。
A、15%
B、20%
C、25%
D、30%
5.單項選擇題普通混凝土小型空心砌塊（GB8239-1997）標準中規(guī)定普通混凝土小型空心砌塊的最小外壁厚應不小于（），最小肋厚應不小于（）。
A、30mm.20mm
B、30mm.25mm
C、25mm.20mm
D、25mm.10mm
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題