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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
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硅片拋光在原理上不可分為()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()